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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

AlN納米錐的圖案化生長及場發(fā)射性能研究

通過引入鉬網(wǎng)作為掩膜發(fā)展了一條簡單的制備圖案化AlN 納米錐的方法。
縫紉機(jī)針桿表面沉積含過渡層DLC薄膜及性能的研究

同時放入縫紉機(jī)針桿（不銹鋼）、WC 合金、Si 片，并分別制備了DLC、Cr/DLC、Cr/CrC/DLC 三種膜層結(jié)構(gòu)的DLC 薄膜，并對薄膜的表面形貌和性能進(jìn)行了研究。
磁控濺射靶的磁路設(shè)計

本文中的磁場設(shè)計, 提高了磁力線平行靶面的范圍, 對靶面的均勻濺射和靶材的利用率與通常的磁場結(jié)構(gòu)相比有很大的提高。
一種全靶腐蝕磁控濺射設(shè)備

基于一種利用磁場將等離子體產(chǎn)生與濺射分開的這種結(jié)構(gòu)構(gòu)造了一個實驗平臺對其進(jìn)行了研究, 實現(xiàn)了全靶腐蝕, 提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
基于Parylene的球形凸起微電極陣列的研究

設(shè)計了整個制備柔性微電極陣列的工藝流程，并成功制備了球形凸起微電極陣列的樣品。
電沉積法制備CuInS2薄膜

采用單步電沉積法和兩步電沉積法在Mo基底上制備CuInS2薄膜，用X射線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)表征了樣品的結(jié)構(gòu)和形貌，用能量散射儀(EDX)測試了樣品中各元素含量。
基于單片機(jī)和CPLD的無線膜厚監(jiān)測系統(tǒng)

闡述了一種基于單片機(jī)和復(fù)雜可編程邏輯器件(CPLD)的無線膜厚監(jiān)測系統(tǒng)的功能、結(jié)構(gòu)、硬件、軟件等原理及其實現(xiàn)。
CVD法制備單根磷摻雜P型ZnO納米線

通過CVD 方法制備得到了磷摻雜的 ZnO 納米線，用掃描電子顯微鏡（SEM）、X 射線衍射（XRD）、光致發(fā)光譜（PL）、拉曼（Raman）等多種表征手段對制備得到的樣品進(jìn)行了表征。
用基于真空噴霧法制備的梯度結(jié)構(gòu)來提高聚合物發(fā)光器件的光強(qiáng)

制備的具有梯度結(jié)構(gòu)的聚合物發(fā)光器件發(fā)出光的強(qiáng)度，比用旋涂法和真空噴霧法所制備的單純高分子發(fā)光器件和混合結(jié)構(gòu)的高分子發(fā)光器件更高
應(yīng)用于CIGS太陽能電池窗口層的透明導(dǎo)電氧化物AZO薄膜的制備與研究

采用射頻磁控濺射技術(shù)，在常溫條件下，制備出了性能優(yōu)良的透明導(dǎo)電AZO薄膜薄膜。
單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線的制備及其光學(xué)性能

用一種簡單的氣相合成方法成功地制備出了大量高純單晶氮化硅（α-Si3N4）納米線，氮化硅納米線的發(fā)光有一個寬的發(fā)光帶（波長從500~700 nm），發(fā)光峰位于567 nm。
單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線的制備

采用一種簡單的熱蒸法制備單晶氮化硅(α-Si3N4)納米線。
卷繞式鍍膜機(jī)張力控制的改進(jìn)及Matlab仿真

卷繞式鍍膜機(jī)張力控制的改進(jìn)及Matlab仿真
導(dǎo)電薄膜電阻測量技術(shù)的可靠性研究

針對手提式薄膜方塊電阻測試儀在使用中容易出現(xiàn)的問題，進(jìn)行分析研究，提出了解決方案，并在實驗中得到實現(xiàn)。
一種新型基于TiO2半導(dǎo)體薄膜的電致變色陣列器件

基于TiO2半導(dǎo)體薄膜的電致變色器件具有很高的穩(wěn)定性，在未來顯示領(lǐng)域“電子紙”的商業(yè)化進(jìn)程中具有很大的競爭潛力
DBD-PECVD法制備CN薄膜的結(jié)構(gòu)及性能研究

采用介質(zhì)阻擋放電等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(DBD-PECVD) 法,分別以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合氣體作為反應(yīng)氣體,在單晶硅片上成功制備了CN薄膜。
磁控濺射制備(Ti,Al,Cr)N硬質(zhì)薄膜及其力學(xué)性能的研究

采用超高真空反應(yīng)磁控共濺射在不銹鋼基體上成功制備TiAlCrN薄膜。通過改變Cr靶濺射功率得到不同表面形貌、不同力學(xué)性能的TiAlCrN薄膜。
納米ZnO/CdSe@ZnS量子點自組裝熒光薄膜的制備

采用GDARE技術(shù)制備了ZnO納米顆粒膜，XRD分析表明晶粒生長主要沿著（002）晶面，薄膜呈現(xiàn)為有一定擇優(yōu)取向生長的多晶結(jié)構(gòu)，AFM圖像觀察到其平均粒徑為50–80nm。
磁控濺射帶電粒子的運(yùn)動分布以及靶面刻蝕形貌的研究

利用有限元軟件ANSYS和數(shù)值分析軟件MATLAB仿真了磁控濺射中電磁場的分布，結(jié)合受力分析和運(yùn)動理論得到了粒子在空間區(qū)域內(nèi)的運(yùn)動以及它們在靶面附近的位置分布特點。
Cr/CrN多層膜的結(jié)構(gòu)及腐蝕性能研究

利用電弧離子鍍設(shè)備，在45#鋼基體上制備了兩種調(diào)制比的Cr/CrN多層膜。采用X 射線衍射技術(shù)(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、電子探針(EPMA)、M273A電化學(xué)系統(tǒng)等技術(shù)分析了薄膜的相結(jié)構(gòu)、表面形貌、橫截面元素分布、模擬海