真空鍍膜
推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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真空鍍鋁膜耐曲揉性(揉搓性)檢測
被視為鋁箔代替品的真空鍍鋁材料，在耐折性、韌性上已有很大的改進，但要想確保其在經(jīng)過曲揉后的綜合性能進而確保產(chǎn)品的包裝安全，對其進行耐曲揉性檢測是不可或缺的重要手段。
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Cu/In原子比及硫化溫度對于CuInS2薄膜性能影響
采用中頻交流磁控濺射方法，在玻璃基底上沉積Cu-In預(yù)制膜，采用固態(tài)硫化法制備獲得了CuInS2(CIS)吸收層薄膜�？疾炝祟A(yù)制膜Cu/In原子比及硫化溫度對于CIS薄膜結(jié)構(gòu)及禁帶寬度影響。
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采用真空鍍膜制備的疊層結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管的研究
報道了一種疊層結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)管，它有別于一般的頂接觸式和底接觸式結(jié)構(gòu)OFET。
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納米TiO2/ITO復(fù)合薄膜的光誘導(dǎo)親水性研究
本文采用直流反應(yīng)磁控濺射法及能量過濾磁控濺射技術(shù),以玻璃為襯底制備了納米TiO2薄膜和納米TiO2/ITO復(fù)合薄膜。
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Zn摻雜TiO2薄膜紫外探測器及其光電性能研究
采用射頻磁控濺射的方法制備Zn摻雜TiO2薄膜，用XRD、SEM和UV-Vis分別表征TiO2薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及其紫外-可見光吸收譜。并用此材料制備Au/TiO2/Au結(jié)構(gòu)MSM光電導(dǎo)型薄膜紫外光探測器，研究其光電特性。
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CVD技術(shù)的應(yīng)用與進展
論述了化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)的工作原理,與其他表面硬化技術(shù)相比的特點,應(yīng)用領(lǐng)域,以及近年來CVD技術(shù)的發(fā)展。
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VOx/TiOx/Ti多層薄膜的制備工藝與內(nèi)耗研究
用磁控反應(yīng)濺射法在玻璃和鉬片襯底上制備VOx/TiOx/Ti多層薄膜。用X射線衍射(XRD)、QJ31單臂電橋、薄膜內(nèi)耗儀等測試了薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、電阻、內(nèi)耗。
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一種全自動超高真空電子束蒸發(fā)薄膜生長系統(tǒng)
由于薄膜生長均勻、沉積速率和膜厚易控、可制備大面積薄膜等特點，電子束沉積技術(shù)在超導(dǎo)薄膜、多層巨磁阻薄膜、超晶格薄膜中得到了深入研究。
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準分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行為的研究
利用KrF準分子激光對非晶硅薄膜的表層進行了晶化。研究了激光能量密度和照射脈沖數(shù)對薄膜結(jié)晶度的影響，并對晶化后薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)進行了表征。
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塑料表面濺射電磁屏蔽膜的研究
本文采用磁控濺射技術(shù)在聚酯塑料上制備出附著力大于5MPa、2GHz~4GHz頻率范圍內(nèi)屏蔽效能大于60dB的復(fù)合結(jié)構(gòu)的電磁屏蔽膜，并研究了導(dǎo)電膜、導(dǎo)磁膜及其復(fù)合膜層的電磁屏蔽特性。
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基底溫度對四元疊層硒化法制備銅銦鎵硒(CIGS)薄膜的影響
利用四元疊層硒化法制備了銅銦鎵硒（縮寫為CIGS）薄膜，重點分析了在疊層法制備CIGS薄膜過程中，基底溫度對CIGS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)，表面形貌以及各種元素沿深度分布的影響。
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