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電磁陰極磁場分布對磁控濺射系統(tǒng)伏安特性的影響

設(shè)計了一種新型圓形平面陰極磁控濺射源

沉積溫度對高溫超導(dǎo)帶材YBiO3緩沖層外延生長的影響

采用脈沖激光沉積(PLD)方法,在LaAlO3(001)基片上研究了沉積溫度對用作高溫超導(dǎo)帶材緩沖層YBiO3結(jié)晶的影響。

多層膜CIA預(yù)制層后硒化法制備Cu(In1- xAlx)Se2薄膜的研究

用真空蒸發(fā)法在玻璃襯底上蒸鍍Cu-In-Al多層膜，后采用真空硒化退火獲得Al 含量不同的Cu(In1-xAlx)Se2多晶薄膜。

Cr/Al雙層納米薄膜的力學(xué)性能測試及其仿真分析

采用納米壓痕儀測量Cr/Al雙層納米薄膜的力學(xué)性能，結(jié)合有限元仿真的手段對壓痕測試進行模擬。

微米及納米金剛石薄膜的制備及其組織性能研究

采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）方法在銅襯底上沉積了微米和納米兩種金剛石薄膜，過渡層均為鈦－鋁－鉬。

摻磷納米硅薄膜的制備及介觀力學(xué)性質(zhì)與介觀接觸電阻的研究

通過嚴格控制薄膜生長的工藝參數(shù)，得到了摻磷納米硅薄膜，并通過原位納米力學(xué)電學(xué)測試系統(tǒng)對其力學(xué)和電學(xué)性質(zhì)進行測試

襯底H等離子體預(yù)處理時間對微晶硅薄膜生長的影響

采用VHF-PECVD技術(shù)制備了系列硅薄膜，通過橢圓偏振技術(shù)及拉曼測試手段研究了襯底表面預(yù)處理時間對微晶硅薄膜的微結(jié)構(gòu)及其生長的影響。

Pr摻雜ZnTe薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性

利用真空蒸發(fā)的方法制備ZnTe多晶薄膜，并采用雙源法對薄膜進行了稀土元素Pr的摻雜。

氫化微晶硅薄膜的兩因素優(yōu)化及高速沉積

采用甚高頻等離子體輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)(VHF-PECVD) 分別對薄膜沉積參數(shù)進行了功率密度—沉積氣壓和硅烷濃度—氣體總流量兩因素優(yōu)化

非平衡磁控濺射制備氮化硅薄膜及其性能研究

采用非平衡磁控濺射技術(shù),通過改變氮氣和氬氣分壓比P(N2)/P(Ar),在鈦合金(Ti6Al4V)表面制備出不同結(jié)構(gòu)及性能的氮化硅薄膜。

沉積在液體基底上銀薄膜的表面形貌及內(nèi)應(yīng)力釋放機制

利用直流磁控濺射方法在液體(硅油) 基底表面成功制備出具有自由支撐邊界條件的金屬銀薄膜系統(tǒng),研究了該薄膜的形成機理、表面形貌演化規(guī)律及內(nèi)應(yīng)力釋放機制。

直接在金屬基片上生長超長宏觀定向納米碳纖維

P型透明導(dǎo)電SnO2薄膜的研究進展

制備高質(zhì)量的n型和p型SnO2是實現(xiàn)SnO2薄膜光電器件應(yīng)用的關(guān)鍵。n型SnO2薄膜的制備已經(jīng)很成熟。

硬質(zhì)薄膜技術(shù)的最新發(fā)展

介紹了硬質(zhì)薄膜技術(shù)的最新發(fā)展狀況,闡述了各技術(shù)的特點和代表廠商。

脈沖激光沉積ZrW2O8/ZrO2復(fù)合薄膜及其靶材制備

采用化學(xué)共沉淀法合成26wt %ZrW2O8/ ZrO2近零膨脹復(fù)合陶瓷靶材,并以脈沖激光法在石英基片上沉積制備了ZrW2O8/ZrO2復(fù)合薄膜。

離子束濺射制備CuInSe2薄膜的研究

利用離子束濺射沉積技術(shù),設(shè)計三元復(fù)合靶,直接制備CuInSe2 薄膜。通過X射線衍射儀 、原子力顯微鏡和分光光度計檢測在不同襯底溫度和退火溫度條件下制備的薄膜的微結(jié)構(gòu)、表面形貌和光學(xué)性能。

工業(yè)純鐵等離子體氮化及Ti/TiN多層薄膜沉積復(fù)合處理研究

采用低偏壓高頻等離子浸沒離子注入及氮化技術(shù)(HLPⅢ) 對工業(yè)純鐵進行表面改性,然后利用非平衡磁控濺射技術(shù)(UBMS) 在低壓高頻等離子浸沒離子注入及氮化處理樣品表面制備Ti/TiN多層膜。

電子束蒸發(fā)法制備摻釔穩(wěn)定氧化鋯薄膜的光學(xué)特性研究

利用電子束蒸鍍方法在單晶硅和石英玻璃上制備了摻不同Y2O3 濃度的摻釔穩(wěn)定ZrO2薄膜(YSZ) ,用X射線衍射、原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡和透射光譜測定薄膜的結(jié)構(gòu)、表面特性和光學(xué)性能,研究了退火對薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能

等離子體發(fā)射監(jiān)控系統(tǒng)參與的中頻孿生反應(yīng)磁控濺射沉積TiO2薄膜的實驗研究

磁控濺射薄膜生長全過程的計算機模擬研究

本文結(jié)合了PIC ,MC , EAM,CIC 等方法對整個等離子體磁控濺射成膜過程進行了多尺度的計算機模擬,并系統(tǒng)研究了磁控濺射成膜過程中基板溫度、磁場分布、靶材-基板間距等參數(shù)對成膜的影響。