真空鍍膜
推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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微晶硅同質(zhì)結(jié)薄膜太陽電池的數(shù)值模擬分析
采用太陽電池電容模擬軟件（簡稱SCAPS）對(duì)p-i-n結(jié)構(gòu)的微晶硅同質(zhì)結(jié)薄膜太陽電池進(jìn)行了數(shù)值模擬。
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多孔ZnO 薄膜結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能研究
采用sol- gel提拉法，以聚乙二醇(PEG2000)為模板劑，醋酸鋅為前驅(qū)體，乙醇為溶劑，二乙醇胺為絡(luò)合劑，在玻璃基片上生長了多孔ZnO 薄膜，利用SEM和紫外分光光度計(jì)分析了多ZnO 薄膜的表面形貌和光學(xué)性質(zhì)。
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磁控濺射法制備鐵氧體薄膜的界面結(jié)合強(qiáng)度研究
利用磁控濺射法在單硅晶基底和玻璃基底上沉積鐵氧體薄膜，采用AFM 觀察薄膜的微觀形貌，采用劃痕法測試薄膜的界面結(jié)合強(qiáng)度。
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鍍膜設(shè)備真空系統(tǒng)主泵的配置
真空系統(tǒng)是真空鍍膜設(shè)備的主要組成部分，其主泵的選擇對(duì)真空性能影響很大，真空鍍膜設(shè)備的發(fā)展要求真空性能清潔無油，動(dòng)態(tài)抽速大.傳統(tǒng)的以油擴(kuò)散泵為主泵的設(shè)備不能滿足要求.
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物理氣相沉積(PVD)技術(shù)
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特
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磁控濺射技術(shù)無鉛金屬化技術(shù)在電子行業(yè)的應(yīng)用
磁控濺射是一種物理氣相沉積技術(shù)，工藝本身是一種環(huán)保技術(shù)，膜材的適應(yīng)性很廣，在綠色制造中由其明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
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磁控濺射TiN/Cu-Zn納米多層膜腐蝕和抗菌性能研究
采用雙靶磁控濺射的方法在不銹鋼表面沉積了TiN/Cu-Zn納米多層膜,研究了多層結(jié)構(gòu)對(duì)膜層耐腐蝕性能和抗菌性能的影響,以及表面腐蝕與抗菌的關(guān)系
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微波同軸表面波等離子體鍍膜設(shè)備
根據(jù)表面波產(chǎn)生等離子體的基本原理進(jìn)行了如下的表面波等離子體源的研制，達(dá)到了為鍍制薄膜的工藝研究所需要的設(shè)備條件。
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襯底溫度和氫氣退火對(duì)ZnO:Al薄膜性能的影響
采用射頻磁控濺射法在石英玻璃襯底上制備了性能良好的透明導(dǎo)電ZnO:Al薄膜,并研究了襯底溫度和氫氣退火對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響
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AlN在α-Al2O3(0001)表面吸附過程的理論研究
采用基于密度泛函理論的平面波超軟贗勢(shì)法,對(duì)α2Al2O3 (0001)表面吸附AlN進(jìn)行了動(dòng)力學(xué)模擬計(jì)算,研究了AlN分子在a2Al2O3 (0001) 表面吸附成鍵過程、吸附能量與成鍵方位
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退火溫度對(duì)(La2/3Ba1/3)(Cu0.15Mn0.85)O3薄膜微結(jié)構(gòu)和磁性質(zhì)的影響
利用射頻磁控濺射法結(jié)合后期退火處理,在Si (100) 基片上制備了一系列的(La2/3Ba1/3) (Cu0.15Mn0.85 )O3(LBCMO)薄膜。
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封閉磁場非平衡磁控濺射偏壓對(duì)CrN鍍層摩擦學(xué)性能影響
用劃痕法測定了鍍層結(jié)合強(qiáng)度、用球- 盤方法測定了鍍層摩擦系數(shù)和比磨損率、用壓入法評(píng)價(jià)鍍層韌性,硬度測試在維氏硬度計(jì)上進(jìn)行
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化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的摩擦學(xué)性能研究進(jìn)展
介紹了化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的主要方法,著重討論了金剛石薄膜的摩擦學(xué)性能研究,簡要分析了化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜中存在的問題。
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液相電化學(xué)沉積類金剛石薄膜的研究進(jìn)展
概述了液相電沉積技術(shù)的基本原理和方法,重點(diǎn)從四個(gè)方面介紹了電化學(xué)方法制備類金剛石薄膜的研究進(jìn)展。
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反應(yīng)磁控濺射沉積SiOx薄膜制備鑲嵌在二氧化硅介質(zhì)中納米晶硅不可行性研究
探討反應(yīng)磁控濺射不宜用于制備鑲嵌在二氧化硅介質(zhì)中納米晶硅(nc2Si/SiO2)的前驅(qū)體SiOx膜的原因
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