久久久久久一区二区三区四区,国产欧美精品一区二区三区四区,欧美日韩中文字幕亚洲,亚洲av一区二区乱网

真空技術(shù)網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空網(wǎng)。

推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • 不同測試條件下TiN薄膜的摩擦學(xué)特性研究

    采用電弧離子鍍技術(shù)在45#鋼襯底表面沉積了TiN薄膜。用不同的儀器測試了在不同條件下TiN薄膜的摩擦學(xué)特性。

  • PI襯底上電沉積Cu薄膜的晶面擇優(yōu)取向

    采用硫酸鹽電沉積法，利用X 射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)等手段研究了不同電沉積條件下在PI膜表面制備的Cu薄膜的晶面擇優(yōu)取向、平均晶粒尺寸及表面形貌。

  • SiO2薄膜制備的現(xiàn)行方法綜述

    SiO2薄膜的現(xiàn)行方法主要有磁控濺射、離子束濺射、化學(xué)氣相沉積、熱氧化法、凝膠－溶膠法等。本文系統(tǒng)闡述了各種方法的基本原理、特點(diǎn)及適用場合，并對這些方法做了比較。

  • 直流反應(yīng)磁控濺射在3003鋁箔表面制備薄膜的研究

    為有效提高3003鋁箔表面光澤度、比面積及強(qiáng)硬度，采用直流反應(yīng)磁控濺射的方法，在一定濺射參數(shù)條件下，選用高純鉬靶和鈦靶對3003鋁箔進(jìn)行濺射實(shí)驗(yàn)。

  • 寬光譜監(jiān)控法鍍制高精度增透膜的研究

    本文介紹了使用寬光譜監(jiān)控系統(tǒng)鍍制增透膜的基本原理和技術(shù)特點(diǎn)，寬光譜光學(xué)鍍膜監(jiān)控系統(tǒng)在鍍制寬帶增透膜等寬帶產(chǎn)品方面具有特有的優(yōu)勢。

  • 一種嶄新的鍍膜技術(shù)——等離子體束濺射

    詳細(xì)描述一種等離子體高效濺射系統(tǒng)及應(yīng)用工藝。此種嶄新的濺射技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效及濺射鍍的高性能特點(diǎn), 特別在多元合金以及磁性薄膜的制備, 具有其他手段無可比擬的優(yōu)點(diǎn)。

  • 新型等離子體束濺射鍍膜機(jī)

    本文介紹了新型的等離子體束濺射鍍膜機(jī)的系統(tǒng)組成、特點(diǎn)、試驗(yàn)結(jié)果等內(nèi)容。該鍍膜機(jī)將等離子體發(fā)生和控制技術(shù)應(yīng)用于濺射鍍膜中，克服了磁控濺射的靶材利用率低及難以沉積鐵磁性材料的缺點(diǎn)。

  • 電子束蒸發(fā)制備CdS多晶薄膜及性質(zhì)研究

    采用電子束蒸發(fā)工藝在普通玻璃襯底上制備了硫化鎘(CdS) 多晶薄膜,研究了不同襯底溫度對薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌及光透過率的影響。

  • 固溶體半導(dǎo)體Zn1-xMgxS薄膜性質(zhì)研究

    以ZnS、Mg粉末為原料,應(yīng)用雙源真空蒸鍍法,在石英玻璃襯底上成功地制備了不同Mg含量x的三元固溶體半導(dǎo)體Zn12xMgxS 薄膜。

  • 不同襯底溫度下預(yù)沉積Ge對SiC薄膜生長的影響

    分別在未沉積Ge 和不同襯底溫度(300、500、700 ℃) 沉積Ge條件下,利用固源分子束外延(SSMBE) 技術(shù)在Si襯底上外延SiC薄膜。通過反射式高能電子衍射(RHEED) 、X射線衍射(XRD) 、原子力顯微鏡(AFM) 和傅里葉變換紅外光

  • PET纖維基AZO透明導(dǎo)電薄膜濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化

    室溫下,結(jié)合正交實(shí)驗(yàn)表,用射頻磁控濺射在滌綸(PET)非織造布基材上生長AZO(Al2O3:ZnO)納米結(jié)構(gòu)薄膜。采用四探針測量儀測試AZO薄膜的方塊電阻,用原子力顯微鏡(AFM)分析薄膜微結(jié)構(gòu);通過正交分析法對實(shí)驗(yàn)L9(33)AZO薄膜的

  • 在線紫外輻照輔助沉積柔性ITO薄膜的研究

    本文在射頻磁控濺射過程中,引入在線紫外輻照,室溫條件下在有機(jī)襯底上制備柔性ITO薄膜的工藝,其最低方塊電阻為5Ω ,電阻率為2.5×10-4Ω·cm ,透光率為92% ,遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于未采用紫外輻照制備的柔性ITO薄膜。

  • 介電/半導(dǎo)體復(fù)合薄膜生長控制

    結(jié)合當(dāng)前國內(nèi)外在介電和半導(dǎo)體復(fù)合薄膜生長的研究進(jìn)展情況, 介紹和討論了我們近期在氧化物介電材料與半導(dǎo)體GaN復(fù)合薄膜生長與界面控制方面的一些研究結(jié)果.

  • 超音速電弧噴涂技術(shù)

    超音速電弧噴涂是最新研制出的制備表面防腐耐磨涂層的新技術(shù),能廣泛用于防腐、修復(fù)和機(jī)械制造等領(lǐng)域。

  • 負(fù)偏壓對磁控濺射氧化鋁薄膜的影響

    適當(dāng)?shù)呢?fù)偏壓影響磁控濺射Al2O3薄膜的性能，有利于獲得高阻隔性的包裝材料。

  • ITO薄膜成份的深度分布和相結(jié)構(gòu)XPS分析

    用XPS測試經(jīng)過磁控濺射工藝優(yōu)化的ITO薄膜的結(jié)果表明:該ITO 薄膜的內(nèi)部Sn 以SnO2 相存在,In 以In2O3 相存在,含量分別在518 %和85 %左右。

  • ITO薄膜的磁控濺射關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

    通過磁控濺射陶瓷靶制備ITO 薄膜的工藝實(shí)驗(yàn),研究了基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)對該薄膜光電性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:當(dāng)基底加熱溫度為295 ℃、濺射電壓為250V、氧分壓占鍍膜室總壓力的8 %即主要工藝

  • CuAlO2的結(jié)構(gòu)和能帶特點(diǎn)

    從理論上講CuAlO2具有較高的熱電優(yōu)值，材料具有比較高的Seebeck系數(shù)和電導(dǎo)率,同時層狀結(jié)構(gòu)有利于聲子散射,降低熱導(dǎo)率。

  • 氧化鋅(ZnO)薄膜的性能分析

    從ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能、電學(xué)性能、光電特性、氣敏特性等方面綜述了ZnO 的研究重點(diǎn)和應(yīng)用前景。

  • 氧化鋅(ZnO)薄膜的結(jié)構(gòu)分析

    ZnO薄膜為寬帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度約3.3eV，晶體結(jié)構(gòu)為六方形纖鋅礦結(jié)構(gòu)。優(yōu)質(zhì)的ZnO薄膜具有C軸擇優(yōu)取向生長的眾多晶粒，每個晶粒都是生長良好的六方形纖鋅礦結(jié)構(gòu)。

閱讀排行