真空鍍膜
推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
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PECVD法沉積氫化非晶硅薄膜內(nèi)應力的研究
利用等離子體增強化學氣相沉積技術在硅基底上沉積了氫化非晶硅薄膜,通過納米壓入儀、電子薄膜應力分布儀、傅里葉變換紅外光譜儀等表征技術,研究了沉積時的工藝參數(shù)對薄膜內(nèi)應力的影 響,對薄膜的本征應力、熱應力進
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Fe/Si多層膜經(jīng)快速熱退火合成β-FeSi2薄膜的研究
采用磁控濺射儀在高阻Si(100)襯底上沉積了[Fe(0.5nm)/Si(1.6nm)]120和[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多層膜,并在Ar氣氣氛下進行了1000℃,10s 的快速熱退火。
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Al-C-N非晶薄膜結構及導電性研究
為了揭示Al-C-N 非晶薄膜的結構、導電性以及它們之間的關系,本文采用非平衡磁控濺射沉積技術在Si (100) 基體上沉積得到了不同Al含量的Al-C-N薄膜。
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小圓平面靶磁控濺射鍍膜均勻性研究
從圓平面靶磁控濺射的原理出發(fā)，針對圓形平面靶面積小于基片面積的特點進行分析，建立膜厚分布的數(shù)學模型，并利用計算機進行模擬計算，目的在于探尋平面靶材面積小于基片面積時影響膜厚均勻性的因素
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大面積VHF-PECVD反應室噴淋式平板電極間電場和流場數(shù)值模擬
以大面積噴淋式平板電極甚高頻等離子體增強化學氣相沉積(VHF-PECVD)反應室為研究對象,利用FlexPDE和CFD-ACE+ 商業(yè)軟件,對反應室電極間的電場和流場分布進行了數(shù)值模擬
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磁控濺射法制備BiFeO3/CoFe2O4多鐵性復合薄膜及其鐵電鐵磁性研究
用磁控濺射法在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上成功制備了BiFeO3 (BFO)/CoFe2O4（CFO）層狀結構磁電復合薄膜，測試結果顯示此磁電復合薄膜在室溫下同時存在鐵電性和鐵磁性
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