真空鍍膜
推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
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氣相沉積硅薄膜微結(jié)構(gòu)及懸掛鍵缺陷研究
在單晶Si(100)基體上利用電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積法制備硅薄膜, 并采用X射線衍射譜(XRD)、透射電鏡(TEM)、Raman光譜、電子自旋共振(ESR)波譜等實驗方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微結(jié)構(gòu)及懸掛鍵密度的變
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激光熱處理對類金剛石薄膜結(jié)構(gòu)的影響
用真空陰極過濾電弧法沉積了厚度為2nm的類金剛石(DLC)薄膜, 研究了激光加熱退火時薄膜結(jié)構(gòu)和表面粗糙度的變化, 分析了激光加熱功率對薄膜結(jié)構(gòu)的影響。
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CAB玻璃基底不同方法制備的SiO2膜層性能研究
采用IAD、IBS、MS等三種方法在CAB玻璃上制備了SiO2膜層,通過納米壓痕和劃痕儀測量了膜層的納米硬度和摩擦系數(shù);利用傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜儀對薄膜光譜性能進行了測量;利用SEM,觀測膜層表面和斷面形貌。
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不同退火工藝對AZO膜性能的影響
采用射頻磁控濺射技術(shù),制備了綜合性能優(yōu)良的AZO薄膜,通過不同退火工藝處理,研究了其對AZO薄膜的組織結(jié)構(gòu)、電學性能及光學性能的影響。
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摻鈦類金剛石膜的制備及在手表外觀件上的應(yīng)用
為有效提高手表外觀件表面的耐磨、耐蝕性能和裝飾性能,采用陽極層流型氣體離子源結(jié)合非平衡磁控濺射技術(shù),制備了梯度過渡摻鈦類金剛石(Ti-DLC)膜層,并對其在手表外觀件上的應(yīng)用進行研究。
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高功率脈沖磁控濺射氬氮比對ZrN薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響
采用高功率復合脈沖磁控濺射的方法(HPPMS)在不銹鋼基體上制備ZrN薄膜,對比DCMS方法制備的ZrN薄膜,得出HPPMS制備的薄膜表面更平整光滑、致密,既無空洞、又無大顆粒等缺陷。
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鎳硅顆粒膜的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射特性
提出采用鎳硅顆粒薄膜作為表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示的發(fā)射體材料，通過光刻和磁控濺射在兩電極（10 μm 間隙）之間制備30 nm 厚的鎳硅顆粒膜。
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鍍膜裝置蒸發(fā)源發(fā)射形態(tài)與膜厚分布
根據(jù)蒸發(fā)源與基片之間的物理聯(lián)系入手，分析基片- - 蒸發(fā)源距離對基片涂層均勻性的影響，進而對蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間距離的確定，提出了自己的一些觀點和看法。
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磁控濺射鍍膜膜厚均勻性設(shè)計方法
在現(xiàn)有的理論基礎(chǔ)之上，對濺射鍍膜的綜合設(shè)計方法進行了初步的建立和研究，系統(tǒng)的建立可以采用“整體到部分，再到整體”這一動態(tài)設(shè)計理念，不斷完善設(shè)計方法，并將設(shè)計方法分為鍍膜設(shè)備工程設(shè)計、鍍膜工藝設(shè)計和計算
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