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弧源電流對TiN薄膜沉積速率的影響

本文講述了弧源電流對TiN薄膜沉積速率的影響。

弧源電流對TiN薄膜表面形貌的影響

本文講述了弧源電流對TiN薄膜表面形貌的影響。

弧源電流對TiN薄膜結(jié)構(gòu)影響的實驗材料與方法

本文講解了弧源電流對TiN薄膜結(jié)構(gòu)影響的實驗材料與方法。

TiO2/SiOxNy/SiO2層疊結(jié)構(gòu)柵介質(zhì)的電容-電壓特性研究

本文討論了以射頻磁控濺射為主要工藝制備的TiO2/SiOxNy/SiO2結(jié)構(gòu)高k柵介質(zhì)。

磁控濺射法制備NiZnCo鐵氧體磁性薄膜的后退火處理研究

研究了后退火處理對磁控濺射法制備NiZnCo 鐵氧體磁性薄膜的成分、組織及性能影響。

硅在紅外光學(xué)薄膜中的應(yīng)用研究

介紹了硅的理化特性以及在光學(xué)薄膜設(shè)計中的應(yīng)用特點。

Sn摻雜CdO透明導(dǎo)電薄膜的制備和光電性能研究

通過脈沖激光法在石英玻璃基底上沉積了錫摻雜氧化鎘(Sn- CdO)透明導(dǎo)電薄膜。X 射線衍射，分光光度計和霍爾效應(yīng)儀檢測了薄膜的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性能。

六種石墨烯的制備方法介紹

本文介紹了6種石墨烯材料的制備方法：機(jī)械剝離法、化學(xué)氧化法、晶體外延生長法、化學(xué)氣相沉積法、有機(jī)合成法和碳納米管剝離法等。

化學(xué)氣相沉積法制備高質(zhì)量石墨烯

利用液態(tài)銅的良好流動性及均勻性等特點消除了所得石墨烯的晶界，制備出了高質(zhì)量大面積的單層石墨烯薄膜。

真空蒸發(fā)鍍膜的蒸發(fā)源的種類及工作方式

蒸發(fā)源是用來加熱膜材使之汽化蒸發(fā)的裝置。目前所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應(yīng)加熱、電弧加熱和激光加熱等多種形式。

真空蒸發(fā)鍍膜過程中的真空條件

增加殘余氣體的平均自由程，以減少其與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率，把真空室內(nèi)抽成高真空是必要的。

真空蒸發(fā)鍍膜的物理過程

金屬薄膜表面微裂紋萌生行為的分子動力學(xué)研究

基于分子動力學(xué),對連續(xù)載荷作用下的帶有缺陷的銅金屬薄膜進(jìn)行模擬分析。

陽極氧化法制備壁壘型Al2O3絕緣膜的研究

采用陽極氧化法在Al膜上制備具有絕緣性能的壁壘型Al2O3膜,研究不同成分比例的電解液、陽極氧化電壓對壁壘型Al2O3膜性能的影響。

氣壓及偏壓對磁控濺射TaN薄膜力學(xué)性能影響

采用電子回旋共振增強(qiáng)磁控濺射在不銹鋼基體上制備六方相TaN薄膜,并研究了氣壓及偏壓對TaN薄膜結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能的影響。

納米α-Fe2O3的原位生長及其場發(fā)射性能研究

采用空氣熱氧化法在鐵基片上原位生長納米α-Fe2O3,并通過掃描電鏡、X射線衍射、場發(fā)射等對600℃下氧化不同時間所制得樣品的形貌、結(jié)構(gòu)、場發(fā)射性能進(jìn)行表征和分析。

離子鍍Ti(1-x)AlxN涂層的形貌及力學(xué)性能研究

等離子體輔助鋁誘導(dǎo)納米硅制備多晶硅的研究

將納米硅誘導(dǎo)源和等離子體輔助退火工藝相結(jié)合, 對于鋁誘導(dǎo)法獲得大晶粒、高質(zhì)量的多晶硅薄膜具有十分重要的意義。

WC/DLC納米多層膜微觀結(jié)構(gòu)研究

陽極層流型氣體離子源與非平衡磁控濺射復(fù)合技術(shù)沉積制備WC/DLC納米多層膜,并在膜/基間設(shè)計了中間過渡層。

La摻雜對CdS薄膜性能的影響

采用化學(xué)水浴法在玻璃襯底上制備了純CdS薄膜和稀土La摻雜的CdS薄膜,在氮氣氣氛中對薄膜進(jìn)行熱處理