久久久久久一区二区三区四区,国产欧美精品一区二区三区四区,欧美日韩中文字幕亚洲,亚洲av一区二区乱网

ZnSe光學(xué)薄膜對GaAs表面特性的影響

用GaAs襯底表面模擬半導(dǎo)體激光器的解理腔面, 研究了不同的光學(xué)薄膜對GaAs表面特性的影響。

真空制鏡機(jī)功能的開發(fā)

用制鏡機(jī)作裝飾鍍的關(guān)鍵是鍍件在真空室體中的安裝和相應(yīng)的蒸發(fā)源的布置。總結(jié)了不同類型鍍件的安裝與蒸發(fā)源的布置方法。

電弧離子鍍的旋轉(zhuǎn)橫向磁場弧源設(shè)計

本文提出了電弧離子鍍工藝一種新的旋轉(zhuǎn)橫向磁場的設(shè)計思路, 通過頻率和強(qiáng)度可調(diào)且覆蓋整個靶面的旋轉(zhuǎn)橫向磁場控制弧斑的運(yùn)動。

基于多晶硅的曲面高反膜研究

本文提出并初步實(shí)現(xiàn)一種提高等離子顯示面板(PDP) 出光率的多層干涉型反射膜。

磁過濾陰極電弧技術(shù)沉積高sp3鍵含量四面體非晶碳薄膜的工藝優(yōu)化研究

通過對不同基片偏壓下磁過濾器電流對四面體非晶碳( ta-C) 薄膜sp3鍵含量影響的研究, 探討了磁過濾陰極電弧技術(shù)制備高sp3 鍵ta-C 薄膜優(yōu)化工藝條件。

硬質(zhì)合金表面TiAlZrCr/(Ti,Al,Zr,Cr)N梯度膜的微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能

采用多弧離子鍍技術(shù), 使用Ti-Al-Zr合金靶和Cr單質(zhì)靶, 在WC-8%CO硬質(zhì)合金基體上制備了TiAlZrCr/(Ti,Al,Zr,Cr)N多組元梯度膜。

晶體結(jié)構(gòu)對Er/Yb共摻TiO2薄膜熒光光譜的影響

通過對不同退火溫度下Er/Yb共摻TiO2薄膜的結(jié)構(gòu)和光致熒光光譜(PL) 的分析, 研究了退火處理所導(dǎo)致的晶體結(jié)構(gòu)變化對薄膜熒光光譜的影響。

涂層結(jié)構(gòu)對Ti-Al-N涂層氧化行為的影響

低出口壓力下噴嘴內(nèi)部空化流動模擬分析

本文以真空噴射法制備聚合物薄膜為出發(fā)點(diǎn), 利用Ansys Fluent 和Gambit 軟件對低壓力下平口噴嘴內(nèi)的空化流動進(jìn)行了模擬分析。

覆Os膜M型陰極高發(fā)射性能隨真空度變化的研究

本文開展了覆Os膜M型陰極高發(fā)射性能隨真空度變化的研究相關(guān)模擬研究。

Al2O3-Cr多層中高溫選擇吸收薄膜的研究

本文提出基于Al2O3 介質(zhì)和金屬Cr 的多層結(jié)構(gòu)的選擇吸收膜系, 首先采用電子束熱蒸發(fā)在硅基底上沉積了單層Cr 薄膜, 通過橢偏儀測試并分析了Cr 薄膜的光學(xué)常數(shù)。

15-5PH不銹鋼基體上硬質(zhì)膜層制備及性能研究

對比不同的表面處理工藝, 選擇多弧離子鍍方法在15-5PH不銹鋼基材表面制備TiN 硬質(zhì)涂層。

平口噴嘴的真空射流霧化模擬分析

基于breakup 和collision 液滴破碎模型采用Fluent 和Gambit 軟件對平口噴嘴的真空射流霧化進(jìn)行了模擬, 研究了環(huán)境壓力、噴射壓力和噴嘴直徑等參數(shù)對射流霧化結(jié)構(gòu)和液滴索特平均直徑的影響。

基于雙層TiO2復(fù)合ZnO薄膜電池的制備及光電性能的研究

制備致密二氧化鈦薄膜，并結(jié)合水熱法在致密薄膜上制備多孔二氧化鈦薄膜，然后再制備成TiO2/ZnO復(fù)合薄膜，將所制得的復(fù)合薄膜分別作為光陽極制備成染料敏化太陽能電池。

脈沖疊加直流偏壓電弧離子鍍TiCrNx薄膜的制備與性能研究

采用脈沖疊加直流偏壓電弧離子鍍技術(shù)在硬質(zhì)合金刀具表面制備TiCrNx 薄膜，利用XRD，SEM，多功能材料表面性能測試儀等對TiCrNx 薄膜進(jìn)行表征。

PLD法制備NiO薄膜及結(jié)構(gòu)和形貌的研究

利用脈沖激光沉積法(PLD)在Si 襯底上制備NiO 薄膜，利用X 射線衍射(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)對所制備薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行表征分析。

真空蒸發(fā)制備Sb摻雜CdTe薄膜

采用真空蒸發(fā)技術(shù)在玻璃襯底上制備了Sb摻雜的CdTe薄膜，Sb摻雜使得薄膜表面更加均勻致密，也使薄膜的帶隙寬度有所減小，大大降低了薄膜的電阻率。

采用改進(jìn)型多弧離子鍍膜設(shè)備鍍制裝飾膜層的研究

本論文以裝飾鍍膜中常用的二氧化鈦膜為研究對象，對比了設(shè)備改進(jìn)前后膜層的性能。

真空條件下物質(zhì)的蒸發(fā)特點(diǎn)

本文講述了真空條件下常見物質(zhì)的蒸發(fā)特點(diǎn)。

具備光吸收增強(qiáng)效應(yīng)的銀納米顆粒層的制備及性能研究

本文利用熱蒸發(fā)退火的方法制備Ag 納米顆粒，通過掃描電子顯微鏡，觀察在潔凈硅片表面熱蒸發(fā)制備出的薄膜厚度和退火得到的納米顆粒陣列的分布情況