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基于PLC的PECVD溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

PECVD溫度控制系統(tǒng)提高了PECVD 溫度控制的自動(dòng)化水平，并有效縮短控制回路的調(diào)節(jié)時(shí)間，減小超調(diào)量，確保了溫度的準(zhǔn)確控制和系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

旋轉(zhuǎn)陰極磁場(chǎng)測(cè)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)與研究

本文著眼于提高磁場(chǎng)的控制精度及測(cè)控的可重復(fù)性，設(shè)計(jì)了一套以PLC 為控制核心，伺服驅(qū)動(dòng)和伺服電機(jī)為執(zhí)行機(jī)構(gòu)的測(cè)控系統(tǒng)。

產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化 真空鍍膜設(shè)備發(fā)展迎來新機(jī)遇

隨著國內(nèi)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化，真空鍍膜設(shè)備行業(yè)迎來新機(jī)遇，必定在將來的裝備制造市場(chǎng)占據(jù)重要地位。

化學(xué)氣相沉積制備毫米量級(jí)的單晶石墨烯

石墨烯的發(fā)現(xiàn)，為開發(fā)基于新原理的納電子器件提供了材料和技術(shù)上的可能性。

石墨烯與碳納米管混合物的場(chǎng)發(fā)射性能研究

隨著各種碳納米材料的發(fā)現(xiàn)，包含了一維結(jié)構(gòu)和二維結(jié)構(gòu)，其中的典型代表就是碳納米管和石墨烯，使得場(chǎng)發(fā)射材料再次成為新的研究熱點(diǎn)。

納米材料熱電子發(fā)射性能的研究

納米材料尺寸很小，可與電子的德布羅意波長、超導(dǎo)相干波長等相比擬;尺度的下降使得納米體系包含的原子數(shù)大大降低，宏觀固定的準(zhǔn)連續(xù)能帶消失，而表現(xiàn)為分立的能級(jí)，量子尺寸效應(yīng)十分明顯;這使得納米材料具有許多不同

金屬摻雜調(diào)控氧化物表面性質(zhì)的STM 研究

金屬氧化物在人們的生產(chǎn)和生活中有著極其廣泛而重要的應(yīng)用。這些應(yīng)用的基礎(chǔ)多半是由于氧化物所具有的獨(dú)特的電子性質(zhì)和表面性質(zhì)。

有機(jī)分子在金屬表面上結(jié)構(gòu)和動(dòng)力學(xué)行為的第一性原理計(jì)算研究

大面積石墨烯二維晶體可控生長及其器件應(yīng)用

石墨烯是理想的二維晶體，具有超高的載流子遷移率、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率、透光性、強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)，在高速計(jì)算芯片、復(fù)合材料、平板顯示、儲(chǔ)能元件呈現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。

ZnO薄膜結(jié)構(gòu)與壓電性能調(diào)控及其應(yīng)用研究

基于GARFIELD 的氣體電子倍增器的特性模擬

氣體電子倍增器具有高計(jì)數(shù)率、抗輻射、高位置分辨率和時(shí)間分辨率等優(yōu)點(diǎn)，已在粒子物理領(lǐng)域獲得了重要應(yīng)用，并在生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)和天體物理學(xué)等其他領(lǐng)域也表現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。

波段大功率速調(diào)管快速啟動(dòng)陰極的研究進(jìn)展

本文主要通過對(duì)S 波段大功率速調(diào)管陰極熱子熱屏組合結(jié)構(gòu)改進(jìn)及加熱方式的試驗(yàn)研究，陰極預(yù)熱時(shí)間從原來15 min 的降至140 s，大大縮短了陰極的預(yù)熱時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)陰極的快速啟動(dòng)。

金納米結(jié)構(gòu)的局域表面等離子體激元共振

目前關(guān)于金屬納米結(jié)構(gòu)局域表面等離子體共振的研究吸引了國內(nèi)外眾多學(xué)者的興趣，在本報(bào)告中將首先簡(jiǎn)單介紹該領(lǐng)域的一些研究現(xiàn)狀。其次，將匯報(bào)一下關(guān)于金納米結(jié)構(gòu)局域表面等離子體共振近期的一些工作結(jié)果。

等離子體紫外光源技術(shù)的進(jìn)展及應(yīng)用

隨著技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，平板紫外光源技術(shù)得到發(fā)展，體現(xiàn)了良好的發(fā)展前景。

氧化鋅納米冷陰極及應(yīng)用探索

基于場(chǎng)致電子發(fā)射原理的冷陰極有可能在平板顯示器、太陽能電池、微型衛(wèi)星助推器、微型質(zhì)譜儀、平行電子束光刻、冷陰極發(fā)光管、微真空三極管等信息電子器件上獲得應(yīng)用。

微波真空器件中的微電子技術(shù)

基于場(chǎng)致發(fā)射陰極和現(xiàn)代微細(xì)加工技術(shù)制作的微波真空電子器件，既可以實(shí)現(xiàn)器件的抗輻射，耐高溫，高頻率，大功率和瞬時(shí)啟動(dòng)，同時(shí)又能具有小體積，高效率，集成化和低成本，是性能十分理想的新型電子器件。

有機(jī)/無機(jī)復(fù)合半導(dǎo)體材料與太陽電池

有機(jī)/無機(jī)復(fù)合半導(dǎo)體材料是一種新型人工合成材料，兼具有機(jī)、無機(jī)半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn)，在性能上實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)協(xié)同與功能互補(bǔ)，受到材料、物理、化學(xué)、信息、能源等研究領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，并已應(yīng)用于新型太陽電池的研制。

硅襯底上無微裂稀反極性疇AlN 薄膜的分子束外延研究

氮化鋁(AlN)薄膜作為改善異質(zhì)外延界面、調(diào)控?zé)崾�配�?yīng)力最有效的過渡層，是最關(guān)鍵的外延層之一。

直流磁控共濺射制備Zn-Sb 熱電薄膜的研究

本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理?xiàng)l件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結(jié)構(gòu)與熱電特性變化規(guī)律。

真空環(huán)境中多場(chǎng)耦合對(duì)Au/Cu/Si 薄膜界面結(jié)構(gòu)的影響

本研究中通過模擬的低地球軌道環(huán)境對(duì)Au/Cu/Si 薄膜樣品進(jìn)行處理，同時(shí)運(yùn)用俄歇電子能譜、原子力顯微鏡、X 射線衍射等分析方法，研究薄膜表面和界面結(jié)構(gòu)，界面層產(chǎn)物分布以及原子擴(kuò)散過程。