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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

鎳緩沖層對(duì)碳納米管薄膜強(qiáng)流脈沖發(fā)射特性的影響

研究了鎳緩沖層對(duì)碳納米管薄膜在強(qiáng)流脈沖發(fā)射模式下的發(fā)射電流和發(fā)射穩(wěn)定性的影響。
冷壁法制備大發(fā)射電流密度復(fù)合陰極及其性能研究

碳納米管(CNT)又是場(chǎng)致發(fā)射陰極的首選材料，其在電子、機(jī)械和化學(xué)方面具有獨(dú)特特性，有較低的逸出功，極高的縱橫比，理論上可實(shí)現(xiàn)106 A/cm2 的場(chǎng)致發(fā)射電流密度。
平行排列的直立少層石墨烯的可控制備研究

直立少層石墨烯由于具有原子級(jí)尖銳的邊緣，因而場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)因子較大，并具有優(yōu)異的電子傳輸特性和二維的導(dǎo)熱區(qū)域，使其在場(chǎng)發(fā)射器件上擁有很好的應(yīng)用潛力。
不同金屬襯底制備碳納米管的生長(zhǎng)差異及其場(chǎng)發(fā)射特性

基于碳納米管冷陰極的平面光源、X 射線管和微波管等，具有一定的工業(yè)應(yīng)用前景。
基于郎穆?tīng)柼结樀牡蜏氐蛪旱入x子體診斷

朗繆爾探針因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于操作、可寬范圍測(cè)定等離子體參數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為一種重要的等離子體診斷方法。
蒸發(fā)制備鋅鎂合金鍍層中鋅鎂層的擴(kuò)散研究

本文在鍍鋅鋼板表面采用真空熱蒸發(fā)鍍鎂, 再由快速退火工藝形成鋅鎂合金鍍層。通過(guò)X 射線衍射、二次離子質(zhì)譜和掃描電鏡分析了在退火過(guò)程中鋅、鎂層的擴(kuò)散過(guò)程, 并通過(guò)鹽霧試驗(yàn)和電化學(xué)測(cè)試研究擴(kuò)散過(guò)程對(duì)鋅鎂合金鍍層
沉積氣壓對(duì)納米晶硅薄膜晶化率與電輸運(yùn)性能的影響

采用熱絲化學(xué)氣相沉積法在不同氣壓( 1~8Pa) 下沉積了p型納米晶硅薄膜, 研究了沉積氣壓對(duì)薄膜晶化率和電輸運(yùn)性能的影響。
等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制備石墨薄膜

本課題利用PECVD方法在銅箔上沉積出石墨薄膜。借助于光學(xué)顯微鏡，Raman 光譜，SEM 等手段對(duì)薄膜微觀結(jié)構(gòu)及成分進(jìn)行了分析。
AlMgB14-TiB2 納米復(fù)合涂層低摩擦機(jī)理的研究

為了進(jìn)一步了解該復(fù)合涂層的微觀潤(rùn)滑機(jī)制，使用磁控濺射技術(shù)分別制備了AlMgB14涂層和TiB2涂層，并使用共濺射技術(shù)制備了AlMgB14-TiB2納米復(fù)合涂層。
超薄鉬箔表面CVD金剛石薄膜殘余應(yīng)力的研究

采用周期性磁場(chǎng)輔助熱絲化學(xué)氣相沉積法，以甲烷和氫氣為反應(yīng)氣體，在厚為40μm 的鉬箔表面沉積金剛石薄膜。
一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)薄膜材料復(fù)數(shù)光學(xué)常數(shù)的反演

獲得一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鑭鍶錳氧La0.8Sr0.2MnO3薄膜材料的復(fù)數(shù)光學(xué)常數(shù)。
直流磁過(guò)濾電弧源沉積氧化鋁薄膜的研究

采用直流磁過(guò)濾電弧源技術(shù)制備氧化鋁薄膜，研究分析了薄膜制備中氧氣分量和陰極靶電流分別對(duì)薄膜折射率n、沉積速率和消光系數(shù)的影響
高透可鋼化離線Low-E鍍膜玻璃耐鋼化性能的研究

Low-E鍍膜玻璃由于具有優(yōu)異的節(jié)能性、良好的采光性、超強(qiáng)的環(huán)保節(jié)能性，使得Low-E 鍍膜玻璃正在成為建筑市場(chǎng)的新寵兒。
表面形貌對(duì)薄膜疏水性能研究

本文采用多種工藝在鈦合金基體上制備了不同疏水薄膜，通過(guò)AFM 及SEM 分析了薄膜的表面形貌，通過(guò)接觸角測(cè)試法表征了薄膜的疏水性能和表面能，比較了不同表面粗糙度對(duì)薄膜疏水性能影響。
熱絲CVD低溫下快速制備碳化硅基硅納米晶薄膜的研究

采用熱絲化學(xué)氣相沉積技術(shù)在低溫下制備碳化硅基硅納米晶薄膜。研究了CH4與總氣體流量比R對(duì)薄膜生長(zhǎng)過(guò)程及薄膜特性的影響。
多室鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與工業(yè)應(yīng)用

介紹鍍膜技術(shù)的分類(lèi)、軟硬襯底涂層設(shè)備的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及多室系統(tǒng)、現(xiàn)代卷繞鍍膜機(jī)單室、雙室及三室的真空設(shè)計(jì)。
負(fù)偏壓對(duì)多弧離子鍍TiN薄膜結(jié)構(gòu)和沉積速率的影響

采用多弧離子鍍?cè)O(shè)備在拋光后的高速鋼表面沉積TiN 薄膜,在其他參數(shù)不變的情況下，著重考察偏壓對(duì)薄膜的沉積速率的影響。
不同弧源電流TiN薄膜的表面形貌及其摩擦學(xué)性能研究

本文使用多弧離子鍍膜設(shè)備，采用不同的弧源電流制備了TiN 薄膜，對(duì)其硬度、表面形貌以及摩擦系數(shù)等進(jìn)行了測(cè)試，從電弧沉積的物理機(jī)制角度詳細(xì)分析了弧源電流對(duì)TiN 薄膜表面熔滴的影響。
弧源電流對(duì)TiN薄膜摩擦系數(shù)的影響

本文講述了弧源電流對(duì)TiN薄膜摩擦系數(shù)的影響。
弧源電流對(duì)TiN薄膜硬度的影響

本文講述了弧源電流對(duì)TiN薄膜硬度的影響。