国产欧美一区二区三区久久人妖,国产午夜精品久久久久

真空鍍膜

真空技術(shù)網(wǎng)>真空應(yīng)用>真空鍍膜>

推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

納米結(jié)構(gòu)碳薄膜低摩擦機(jī)制及發(fā)動機(jī)應(yīng)用

設(shè)計構(gòu)筑在大氣環(huán)境條件下具有超低摩擦特性的固體潤滑薄膜材料與技術(shù)，實現(xiàn)工程應(yīng)用是該領(lǐng)域的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
反應(yīng)濺射外延半金屬Fe3O4薄膜的各向異性和界面耦合

半金屬Fe3O4具有較高的居里溫度(858 K)和理論上100%的自旋極化率，是自旋電子學(xué)器件的理想候選材料。
納米氧化物薄膜的APCVD法制備、微結(jié)構(gòu)與穩(wěn)定性

采用常壓化學(xué)氣相沉積法(APCVD)在浮法玻璃基板上沉積制備了摻氟氧化錫薄膜、氧化鈦薄膜等各類節(jié)能功能鍍層。
集成電子材料研究進(jìn)展

本報告首先分析了當(dāng)前我國電子信息產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，特別是電子材料與元器件行業(yè)的狀況，結(jié)合國際電子信息技術(shù)的發(fā)展趨勢，闡述了研究集成電子材料的重要意義。
氮化鈦(TiN)薄膜光學(xué)性質(zhì)的研究進(jìn)展

介紹了擬合氮化鈦薄膜光學(xué)常數(shù)常用的色散模型，且結(jié)合第一性原理計算出的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度給予闡述
CVD金剛石膜中黑色缺陷的存在形式

采用光學(xué)顯微鏡在透射光、反射光和側(cè)光模式下研究了多晶CVD金剛石厚膜中黑色缺陷的存在形式，利用X 射線光電子能譜、拉曼光譜研究了黑色缺陷的組成成分。
RF-PECVD制備類金剛石膜的研究

采用RF- PECVD 法在鍺(Ge)基片上沉積類金剛石（DLC）薄膜，研究了氣體流量和氣壓對沉積區(qū)域均勻性的影響，以及基片厚度與沉積時間的關(guān)系。
共濺射法制備的Pt-C薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能的研究

用共濺射的方法制備了Pt-C薄膜,薄膜由Pt納米粒子和非晶C組成。電子顯微鏡和X射線衍射的測試結(jié)果顯示Pt納米粒子鑲嵌在非晶C之中。
脈沖激光沉積濺射工藝對CIGS薄膜成分和結(jié)構(gòu)的影響

采用脈沖激光沉積濺射法在玻璃襯底上制備Cu-In-Ga預(yù)制膜,后經(jīng)硒化、退火處理,得到CIGS薄膜。采用X射線衍射儀表征了薄膜的晶體結(jié)構(gòu),采用掃描電子顯微鏡和能量散射譜觀察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光電子
鋼板鋅鎂鍍層制備及退火工藝對鋅鎂合金化的影響

鋼板表面的鋅鎂合金鍍層可以提高其耐腐蝕性能,而鋅鎂金屬間化合物MgZn2和Mg2Zn11的形成可能是耐腐蝕性能提高的主要因素。
Cu薄膜三維生長的Monte Carlo模擬

利用蒙特卡羅(Monte Carlo)方法模擬了Cu薄膜在四方基底上的三維生長過程。模型中考慮了三個主要的原子熱運動過程:原子沉積、原子擴(kuò)散、原子脫附,各過程發(fā)生的概率是由各運動的速率來決定的。
直流磁控濺射法低溫制備GZO:Ti薄膜及其光電性能研究

用直流磁控濺射法在玻璃襯底上成功制備出了鈦鎵共摻雜氧化鋅(GZO:Ti)透明導(dǎo)電薄膜,研究了濺射壓強和功率對GZO:Ti薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。
本底真空度和殘余氣體對集成電路金屬薄膜淀積的影響

研究表明設(shè)備真空腔體微漏和極微量的殘余氣體對Al,W 金屬薄膜質(zhì)量影響很大。從設(shè)備的角度提出改善真空度、減少殘余氣體的措施, 這些措施在實際生產(chǎn)中得到了驗證和應(yīng)用, 達(dá)到減少設(shè)備停機(jī) 時間, 減少產(chǎn)品缺陷, 提高
高性能SS-AlN金屬陶瓷真空太陽集熱管的制備

采用真空磁控濺射沉積SS-AlN金屬陶瓷太陽選擇性吸收涂層。涂層光學(xué)功能層的制備,先采用銅靶濺射Cu紅外反射層;再采用不銹鋼(SS)和鋁兩金屬靶在Ar和N2的混合氣體中同時濺射沉積SS-AlN金屬陶瓷吸收層;最后采用Al靶在Ar
氮化物硬質(zhì)涂層中Cr、Ti和Al元素對摩擦磨損特性的影響

利用四靶閉合場非平衡磁控濺射(CFUBMS)技術(shù)在石英玻璃和拋光不銹鋼片兩種基底上制備含有Cr、Ti和Al元素組合的各種氮化物涂層。
基片溫度對磁控濺射沉積二氧化硅的影響

本文詳細(xì)地研究了基片溫度對磁控濺射沉積二氧化硅的影響,隨著基片溫度的增加,濺射沉積速率下降明顯,薄膜的折射率也出現(xiàn)上升趨勢,薄膜也由低溫時的疏松粗糙發(fā)展為致密光滑。
退火溫度和氣氛對GZO薄膜和LED器件性能影響

采用磁控濺射的方法將摻雜了三氧化二鎵的氧化鋅薄膜（GZO）沉積在p型氮化鎵襯底上并通過離子刻蝕制備出LED芯片，研究在空氣和氮氣氛圍不同溫度退火后的透過率和LED芯片在氮氣氛圍400℃退火后的性能。
鈾表面非平衡磁控濺射離子鍍Ti基薄膜的組織結(jié)構(gòu)與腐蝕性能

金屬鈾的化學(xué)性質(zhì)十分活潑,極易發(fā)生氧化腐蝕。本文采用磁過濾多弧離子鍍在金屬鈾表面制備Ti過渡層,然后采用非平衡磁控濺射離子鍍技術(shù)制備了Ti、TiN單層膜及Ti/TiN多層薄膜,以期改善基體的抗腐蝕性能。
溶膠凝膠法制備Cu摻雜ZnO納米薄膜及其表征

采用溶膠-凝膠法制備了不同Cu摻雜濃度的ZnO薄膜,并通過X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、紫外可見分光光度計和伏安特性測試等研究了Cu摻雜量對薄膜微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌及光電特性的影響。
脈沖激光沉積法制備立方焦綠石結(jié)構(gòu)的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜

采用固相反應(yīng)法合成具有焦綠石立方結(jié)構(gòu)的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脈沖激光沉積法在Pt/SiO2/Si(100)基片制備立方BZN薄膜。研究了隨襯底溫度的變化,薄膜的結(jié)晶性能,微觀形貌以及介電性能的差異。