真空鍍膜
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有機(jī)器件中低溫低損傷磁控濺射沉積透明導(dǎo)電薄膜技術(shù)的研究進(jìn)展
索出一種低溫低損傷高速沉積性能優(yōu)異透明導(dǎo)電薄膜的制備技術(shù),是提高有機(jī)光電器件性能的關(guān)鍵。
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鋁誘導(dǎo)晶化低溫制備多晶硅薄膜的機(jī)理研究
本文根據(jù)熱力學(xué)第二定律的Gibbs自由能描述,理論研究了AIC制備多晶硅薄膜的ALILE機(jī)理,同時結(jié)合理論研究和實(shí)驗(yàn)結(jié)果理論計算了AIC制備多晶硅薄膜的激活能。
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W含量對CrSiWN薄膜微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)及摩擦性能的影響
采用射頻磁控濺射制備不同W含量的CrSiWN薄膜。利用X射線衍射、掃描電鏡、能量散射譜、納米壓痕儀和摩擦磨損實(shí)驗(yàn)機(jī)對薄膜的相結(jié)構(gòu)、形貌、成分和摩擦性能進(jìn)行分析。
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ZnO插層對超薄坡莫合金薄膜各向異性磁電阻的影響
本實(shí)驗(yàn)以ZnO作為Ta(4nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)薄膜中Ta層和Ni81Fe19層界面處的納米氧化層,研究氧化層ZnO的插入對坡莫合金薄膜AMR的影響。
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鍍膜技術(shù)對金屬薄膜性能與制備氫化物薄膜的影響
分析了熱蒸發(fā)、濺射和脈沖激光沉積三種鍍膜技術(shù)鍍金屬薄膜的性能特點(diǎn)。根據(jù)文獻(xiàn)報道數(shù)據(jù),研究了三種鍍膜技術(shù)鍍金屬薄膜的成膜機(jī)理、晶格參數(shù)、膜力學(xué)性能的差別。
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真空蒸鍍鍺摻雜多晶硅薄膜的研究
用掃描電子顯微鏡(KYKY-1000B)和顯微激光拉曼光譜儀(JY Labram HR 800)分析研究了不同摻雜分?jǐn)?shù)的鍺成分對摻鍺多晶硅薄膜的表面形貌、組織結(jié)構(gòu)及薄膜晶化率的影響。
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鋁摻雜及溫度對氧化鋅薄膜發(fā)光特性的影響
本文中采用水熱法制備了摻鋁氧化鋅(AZO)納米結(jié)構(gòu)薄膜,使用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)和變溫光致發(fā)光譜技術(shù)測試了薄膜的微結(jié)構(gòu)和在低溫下的光致發(fā)光特性,并分析了鋁摻雜和溫度變化對氧化鋅光致發(fā)光譜的影響。
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一種窄帶導(dǎo)模共振負(fù)濾光片的設(shè)計
由于弱調(diào)制光柵可以等效為平面波導(dǎo), 本文從平面波導(dǎo)的本征方程出發(fā), 導(dǎo)出垂直入射時弱調(diào)制光柵共振位置的表達(dá)式。
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電致變色薄膜器件在空間中的應(yīng)用前景
電致變色薄膜器件的光學(xué)性質(zhì)可以隨外加電場而發(fā)生可逆的變化, 利用這種性質(zhì), 電致變色薄膜器件可以廣泛應(yīng)用于建筑、汽車、航天等領(lǐng)域, 在節(jié)能、熱控等方面發(fā)揮作用。
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不同襯底溫度下生長的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.0薄膜的XPS 研究
采用固相反應(yīng)法合成具有焦綠石立方結(jié)構(gòu)的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN) 陶瓷靶材, 采用脈沖激光沉積法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100) 基片制備立方BZN 薄膜, 襯底溫度在500~ 700℃范圍內(nèi)變化。
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化學(xué)水浴法制備In2S3薄膜的組織和性能研究
采用化學(xué)水浴法在InCl3.4H2O 和CH3CSNH2 的酸性混合溶液體系中制備In2S3薄膜,并研究不同工藝下制備In2S3薄膜的晶相結(jié)構(gòu)、表面形貌及光學(xué)性能。
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ICP-CVD制備a-CHON及光學(xué)性能分析
采用外置電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法, 以高純CH4/N2/ CO2/H2作為反應(yīng)氣體, 制備出非晶的a-CHON薄膜。研究了放電功率對薄膜沉積速率、表面形貌及光學(xué)性能的影響。
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雙波段3.0~5. 0μm 和7. 0~10. 0μm寬帶增透膜的研究
為了增加紅外窗口的透射率,研制了硫化鋅基底上的雙波段寬帶增透膜。膜系設(shè)計采用硫化鋅和氟化釔分別作為高、低折射率材料的多層膜結(jié)構(gòu)。
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多孔陽極氧化鋁有序陣列表面潤濕機(jī)制的研究
基于二次陽極氧化法制備的多孔陽極氧化鋁(AAO)有序陣列薄膜,研究了二次蒸餾水和1,2-二氯乙烷兩種液體在該結(jié)構(gòu)化、化學(xué)異質(zhì)表面的潤濕特性。
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多孔Cr-TiO2/P3HT異質(zhì)結(jié)薄膜的制備及光伏特性研究
采用溶膠-凝膠法,利用聚乙二醇2000(PEG 2000),成制備了多孔Cr摻雜TiO2(Cr-TiO2)納米薄膜,并實(shí)現(xiàn)了PEG 2000 含量對Cr-TiO2薄膜多孔結(jié)構(gòu)及其光透射特性的有效調(diào)制。
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形核密度對金剛石薄膜表面形貌及其質(zhì)量的影響
在2kW 微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD) 裝置中,采用CH4和H2作氣源,在最佳生長工藝參數(shù)條件下,可重復(fù)制備出高質(zhì)量的金剛石薄膜。
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