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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面:鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法:生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • Kaufman低能寬束離子源的結(jié)構(gòu)原理

    Kaufman離子源是由陰極(Cathode)、陽(yáng)極(Anode)、柵極(Grids)、放電室圓筒構(gòu)成氣體放電室(Discharge Chamber),柵極構(gòu)成離子光學(xué)系統(tǒng)。

  • 磁控濺射法鍍制紅外低輻射膜的光熱性能

    本文對(duì)薄膜的節(jié)能原理、制備方法、膜層結(jié)構(gòu)及其光學(xué)、熱學(xué)性能進(jìn)行了綜述, 較詳細(xì)地論述了目前低輻射薄膜研究中較為突出的金屬銀氧化和介質(zhì)層增透的問(wèn)題。

  • 紅外低輻射膜的典型膜層結(jié)構(gòu)

    低輻射薄膜的中間金屬層起著反射紅外線的重要作用,一般選用銀,因它在對(duì)紅外光具有較高反射率的同時(shí),對(duì)可見光還具有較高的透射率,按銀膜的數(shù)量可分為單銀膜 、雙銀膜和多銀膜,每層銀膜厚度一般在10~18nm之間。

  • 紅外低輻射薄膜的節(jié)能原理

    膜層的電導(dǎo)率σ值越大, 它對(duì)入射光的反射率越大; 電磁輻射的頻率υ越小(或波長(zhǎng)越大) , 膜材料的反射率越大。所以, 導(dǎo)電薄膜對(duì)波長(zhǎng)較大的紅外線具有高反射性。

  • ZnO薄膜的器件應(yīng)用

    ZnO薄膜的主要應(yīng)用有用作光伏電池的電極和窗口材料、在發(fā)光器件的應(yīng)用、ZnO基紫外探測(cè)器、作為緩沖層/襯底、壓敏器件、氣敏傳感器、壓電器件。

  • ZnO薄膜的主要性質(zhì)

    本文講述了ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等性質(zhì)。

  • 化學(xué)法制備ZnO薄膜的方法

    PECVD法、SSCVD法、MOCVD法、噴霧熱解法(Spray Pyrolysis)、溶膠- 凝膠法是目前主要的一些化學(xué)制備ZnO薄膜的方法。

  • 物理法制備ZnO薄膜的方法

    物理法制備ZnO薄膜的的主要方法有濺射法(Sputtering)、脈沖激光沉積法(PLD)、分子束外延法(MBE)、原子層外延生長(zhǎng)法(ALE)等。

  • 寬禁帶半導(dǎo)體ZnO薄膜的制備工藝

    ZnO薄膜的制備方法有多種,大致分為物理法和化學(xué)法,可以滿足不同的需求,由于化學(xué)穩(wěn)定性好,良好的機(jī)電耦合性,工藝簡(jiǎn)單,這使得ZnO 薄膜在近年來(lái)受到越來(lái)越多的重視,成為化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域中的一個(gè)研究熱點(diǎn),基于ZnO的器

  • 熱處理和摻雜對(duì)TiO2薄膜折射率的影響

    隨著熱處理溫度的升高,薄膜折射率也逐漸增大。850℃熱處理后的氧化鈦薄膜折射率最高為2.34。適量摻雜CeO2會(huì)提高薄膜的折射率,過(guò)量摻雜CeO2反而會(huì)降低折射率。

  • 電子束蒸發(fā)法工藝對(duì)TiO2薄膜折射率的影響

    基片溫度、真空度、沉積速率、其他工藝條件等都對(duì)電子束蒸發(fā)法工藝對(duì)TiO2薄膜折射率的影響。

  • 有機(jī)玻璃蒸發(fā)鍍鋁的實(shí)驗(yàn)結(jié)果及鋁膜分析

    增加鉻過(guò)渡層的樣品, 鋁膜結(jié)合的非常牢固, 附著力得到很大的提高。 采用電子束蒸發(fā)技術(shù), 在使用合適的工藝參數(shù)下, 可以在有機(jī)玻璃表面制備附著力好、耐腐蝕的高反射鋁膜。

  • 有機(jī)玻璃基材表面電子束蒸鍍鉻-鋁-二氧化硅薄膜實(shí)驗(yàn)材料與方法

    采用電子束蒸鍍的方法, 以有機(jī)玻璃為基材, 在其表面蒸鍍鉻過(guò)渡層, 再蒸鍍鋁, 最后蒸鍍保護(hù)層二氧化硅。

  • 對(duì)鋁合金表面鍍CrNx多層膜特性分析

    利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、顯微硬度儀和腐蝕測(cè)量?jī)x等測(cè)試手段分析薄膜的成分、結(jié)構(gòu)、表面形貌、顯微硬度、耐腐蝕性等特性。

  • 2024鋁合金表面鍍CrNx多層膜的實(shí)驗(yàn)過(guò)程

    在2024 鋁合金上采用了二次浸鋅的預(yù)處理方法, 以化學(xué)鍍鎳, 電鍍銅作為過(guò)渡層的特殊工藝,再利用磁過(guò)濾脈沖偏壓電弧離子鍍技術(shù)制備了Zn/Ni/Cu/Cr/CrN 多層梯度膜。

  • 濺射氣壓對(duì)磁控濺射成膜性能的影響

    濺射氣壓( 工作氣壓)是一個(gè)很重要的參數(shù), 它對(duì)濺射速率, 沉積速率以及薄膜的質(zhì)量都有很大的影響。實(shí)驗(yàn)得知濺射氣壓超過(guò)0.55Pa 后, 結(jié)合力和焊接合格率隨著氣壓增大而迅速下降。因此, 認(rèn)為0.5 Pa 左右的濺射氣壓是比

  • 靶片間距對(duì)金屬化成膜速率和薄膜性能的影響

    靶片間距也是影響成膜速率的重要因素之一, 靶材與基片之間必須保持一定的距離, 過(guò)大或過(guò)小鍍膜的均勻性和致密性都較差。

  • 濺射功率對(duì)金屬化薄膜性能的影響分析

    濺射功率對(duì)金屬化薄膜性能的影響主要表現(xiàn)在對(duì)成膜速率、薄膜形貌、薄膜性能等方面的影響,結(jié)合實(shí)驗(yàn),分別分析了各個(gè)影響。

  • 晶振膜厚控制儀應(yīng)用與展望

    膜厚控制儀工作穩(wěn)定,速率和膜厚的控制能達(dá)到很高的精度,顯示屏中文顯示,簡(jiǎn)單而且直觀。用它控制國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)無(wú)須國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)作很大的改動(dòng),甚至可以保留國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)原有的人工鍍膜的狀態(tài),不失為國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)的最佳配套選

  • 化學(xué)氣相沉積(CVD)的概念與優(yōu)點(diǎn)

    化學(xué)氣相淀積CVD指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過(guò)程。

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