石墨烯
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石墨烯的制備方法和應(yīng)用
本文一方面對(duì)石墨烯的主要制備方法以及原理進(jìn)行介紹,另一方面,針對(duì)石墨烯在納米電子器件等諸多領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用做出概述。
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石墨烯的制備和應(yīng)用
本文主要對(duì)近幾年一些改進(jìn)的或新的石墨烯的制備方法以及其主要的潛在應(yīng)用做了綜述,從中可以看到石墨烯的巨大發(fā)展?jié)摿Α?/p>
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Fe3O4/石墨烯復(fù)合材料的制備及表征
本研究采用液相還原法,在堿性環(huán)境下使用FeCl2·4H2O和氧化石墨作為前驅(qū)體制備Fe3O4微球附載的石墨烯復(fù)合材料,研究了鐵鹽濃度對(duì)產(chǎn)物磁性能和導(dǎo)電性能的影響。
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納微結(jié)構(gòu)Cu/氧化石墨烯的制備及摩擦學(xué)性能研究
本文作者利用原位復(fù)合技術(shù)制備了納微米結(jié)構(gòu)銅/氧化石墨烯復(fù)合微粒,將所制備的復(fù)合微粒進(jìn)行表面修飾后考察了其摩擦學(xué)性能,發(fā)現(xiàn)復(fù)合微粒能起到顯著的減摩抗磨作用。
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國(guó)內(nèi)外觸摸屏行業(yè)石墨烯的應(yīng)用發(fā)展概況
本文講述了當(dāng)前石墨烯在國(guó)內(nèi)外觸摸屏行業(yè)的應(yīng)用發(fā)展情況。
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MPCVD工藝參數(shù)對(duì)石墨烯性能影響的研究
實(shí)驗(yàn)采用MPCVD裝置,以氫氣和甲烷為主要?dú)庠,氮(dú)夂蜌鍤鉃檩o助氣源在鎳片上生長(zhǎng)石墨烯薄膜,并對(duì)不同條件下制備樣品進(jìn)行拉曼光譜儀表征。
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硅功能化石墨烯的分子動(dòng)力學(xué)模型及其弛豫性能
建立了有不同手性、不同硅碳比和不同空位缺陷率的兩層和三層硅功能化石墨烯的分子動(dòng)力學(xué)數(shù)值模型,測(cè)算了石墨烯的層間距為0.335nm。
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單層和雙層石墨烯的可控制備和結(jié)構(gòu)表征
本文采用CVD方法,通過控制實(shí)驗(yàn)參數(shù),在多晶銅襯底上制備出了大面積的單層及雙層石墨烯,并對(duì)制備出來的石墨烯薄膜進(jìn)行了表征與分析。
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Ag(Au)/石墨烯-TiO2復(fù)合光催化劑的制備及其模擬太陽光光催化性能
分別采用溶劑熱還原和光還原沉積法制備了石墨烯-TiO2 和 Ag(Au)/石墨烯-TiO2 復(fù)合光催化劑, 并表征了其相結(jié)構(gòu)、形貌、孔隙率、光譜吸收性質(zhì)以及組成結(jié)構(gòu).
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半導(dǎo)體/石墨烯復(fù)合光催化劑在光催化滅菌的應(yīng)用
半導(dǎo)體光催化技術(shù)具有強(qiáng)氧化能力、無毒、長(zhǎng)期光穩(wěn)定性和幾乎無需任何維護(hù)的特點(diǎn), 被認(rèn)為是一種極具前景的殺菌方法.
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半導(dǎo)體/石墨烯復(fù)合光催化劑在化還原CO2制有機(jī)燃料的應(yīng)用
本文對(duì)半導(dǎo)體/石墨烯復(fù)合光催化劑還原CO2制Cx化合物進(jìn)行了很好的總結(jié),同時(shí)給出了半導(dǎo)體光催化劑還原CO2的機(jī)理。
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半導(dǎo)體/石墨烯復(fù)合光催化劑在分解水產(chǎn)氫方面的應(yīng)用
半導(dǎo)體與石墨烯復(fù)合光催化劑在光解水制氫中也得到廣泛應(yīng)用, 以下將通過光解水制氫的實(shí)例介紹半導(dǎo)體/石墨烯復(fù)合光催化劑在光催化產(chǎn)氫中的優(yōu)異特性及相關(guān)機(jī)理.
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半導(dǎo)體/石墨烯復(fù)合光催化劑在降解有機(jī)污染物方面的應(yīng)用
半導(dǎo)體/石墨烯復(fù)合光催化劑在降解有機(jī)污染物方面的應(yīng)用:由于石墨烯的引入, 導(dǎo)致光生載流子的快速分離, 使得電子和空穴都能夠有效地參與光催化降解MB的反應(yīng).
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石墨烯增強(qiáng)光催化作用的機(jī)理
石墨烯被用來與半導(dǎo)體材料復(fù)合制備新型光催化劑的研究歷史較短, 其增強(qiáng)光催化作用的機(jī)理有作為半導(dǎo)體受激發(fā)電子的收集者和傳遞者、拓寬半導(dǎo)體的光吸收范圍、增強(qiáng)吸附反應(yīng)物的 能力。
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半導(dǎo)體/石墨烯復(fù)合光催化劑的幾種制備方法
本文主要講述了包括水熱/溶劑熱法、溶液混合法、原位生長(zhǎng)法在內(nèi)的幾種制備半導(dǎo)體/石墨烯復(fù)合光催化劑的方法。
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